東京大学 先端科学技術研究センター高機能材料分野/工学系研究科マテリル工学専攻
メンバー
| 教授 | 近藤 高志 | tkondo@ |
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| 助教 | 五月女 真人 | soutome@ |
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| D3 | 劉 子豪 | liuzihao@ |
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| D3 | Jung Hanbo | jung@ |
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| D2 | 石 仕駿(Shi Shijun) | shi@ |
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| M2 | 豊田 祥平 | toyota@ |
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| M1 | 中里 純大 | nakazato@ |
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| M1 | Yang Yemu | yang@ |
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| B4 | 浅原 礼旺 | asahara@ |
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| B4 | 藤川 紘晃 | fujikawa@ |
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| 聴講生 | Grizfeld Roman | roman@ |
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メールアドレスは＠のあとに castle.t.u-tokyo.ac.jp を加えてください。
卒業生
| 氏名 | 卒業年 | | 学位 | 論文タイトル |
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| 中村 大介 | R5 | 2023 | M | 多元共蒸着法によるペロブスカイト型半導体CH3NH3PbI3の導電性制御に関する研究 |
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| 石田 龍生馬 | R5 | 2023 | B | テラヘルツ電磁波発生による分子性強誘電体[Hdabco][ReO4]のドメイン構造の三次元可視化 |
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| 荻田 俊貴 | R5 | 2023 | B | ペロブスカイト型半導体CH3NH3PbI3における超高速光電流のテラヘルツ放射分光 |
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| 笹木 廉 | R5 | 2023 | B | ハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体CsSnxPb1-xBr3傾斜組成薄膜の作製と評価 |
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| 渡邉 佳晟 | R4 | 2022 | M | 鉛ハライドペロブスカイト型半導体混晶CH3NH3Pb(Br1-xClx)3 の格子定数 |
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| 前川 尚輝 | R4 | 2022 | B | CsSnBr3-CsPbBr3ヘテロ積層薄膜の真空蒸着とその混晶化に関する研究 |
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| 小林 優広 | R3 | 2021 | M | 電流注入AlGaAs導波路型波長変換素子に関する研究 |
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| 中村 大介 | R3 | 2021 | B | ３元共蒸着法によるハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体の作製と導電性評価に関する研究 |
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| 吉田 修太朗 | R3 | 2021 | B | 非鉛臭化物ペロブスカイト系材料Cs2PbBr6の研究 |
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| 中村 唯我 | R2 | 2020 | D | 鉛ハライドペロブスカイト混晶CH3NH3Pb(I1−xBrx)3 の光安定性 |
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| 佐藤 皓海 | R2 | 2020 | B | 非鉛ヨウ化物ペロブスカイト系材料Cs2TiI6の製膜に関する研究 |
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| 後藤 慧 | R2 | 2020 | B | ３元共蒸着法によるハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体の導電性制御 |
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| 木村 浩平 | R1 | 2019 | M | ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体のヘテロエピタキシーに関する研究 |
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| 竹山 慶 | R1 | 2019 | B | 電流注入可能な周期空間反転AlGaAs波長変換素子の研究 |
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| 原 正大 | R1 | 2019 | B | マイグレーションヘンハンストエピタキシーを用いた周期空間反転AlGaAsの結晶成長に関する研究 |
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| 福永 亮 | H30 | 2018 | B | 周期空間反転AlGaAs電流注入型波長変換素子の研究 |
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| 高島 駿 | H30 | 2018 | B | ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体のヘテロ積層膜作製の研究 |
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| 佐野 惇郎 | H29 | 2017 | M | ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体混晶のイオン移動による相変化の研究 |
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| 鈴木 涼介 | H29 | 2017 | M | 周期空間反転AlGaAs波長変換素子への電流注入に関する研究 |
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| 木村 浩平 | H29 | 2017 | B | ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体のヘテロエピタキシー |
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| 松本 崇志 | H29 | 2017 | B | 周期空間反転GaAs/AlGaAs導波路型波長変換素子の低損失化の研究 |
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| 紺野 晃央 | H28 | 2016 | M | 真空蒸着法によるホルムアミジニウムヨウ化鉛薄膜の作製 |
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| 中村 唯我 | H28 | 2016 | M | ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体の励起子に関する研究 |
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| 中村 勇貴 | H27 | 2015 | M | AlGa反転積層高屈折率差U字折りたたみ導波路型波長変換素子に関する研究 |
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| 粟田 尚紀 | H27 | 2015 | M | 砒素二原子分子を用いた分子線エピタキシーによる周期空間反転AlGaAsの結晶成長に関する研究 |
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| 鈴木 涼介 | H27 | 2015 | B | 高次モード中赤外光発生を目指した新規波長変換素子の研究 |
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| 佐野 惇郎 | H27 | 2015 | B | 臭化鉛ペロブスカイト型半導体CH3NH3PbBr3の物性と薄膜太陽電池応用に関する研究 |
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| 粟田 尚紀 | H26 | 2014 | M | AlNの2次非線形光学特性 |
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| 中村 唯我 | H26 | 2014 | B | AlGaAs導波路型中赤外差周波発生素子の作製 |
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| 大塚 温 | H26 | 2014 | B | AlGaAs疑似位相整合導波路型波長変換素子の偏光特性に関する研究 |
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| 中村 勇貴 | H25 | 2013 | B | AlGaAs/Alox反転積層高屈折率導波路型モード位相整合波長変換素子の開発 |
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| 粟田 尚紀 | H24 | 2012 | B | ZnOとAlNの２次非線形光学特性 |
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| 村上 航規 | H24 | 2012 | B | AlGaAs反転積層導波路型モード位相整合波長変換デバイスの開発 |
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| 阿部 真 | H24 | 2012 | D | 六方晶ワイドギャップ半導体の非線形光学特性 |
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| 雨堤 耕史 | H24 | 2012 | M | 周期空間反転AlGaAs?結晶の精密評価と高品質化に関する研究 |
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| 村上 航規 | H24 | 2012 | B | AlGaAs?反転積層導波路型モード位相整合波長変換デバイスの開発 |
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| 吉田 成輝 | H24 | 2012 | B | 周期空間反転GaAs/AlGaAs再成長に関する研究 |
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| 金 泰雄 | H23 | 2011 | D | 化合物半導体導波路型波長変換素子の微細構造評価 |
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| 野村 隆次郎 | H23 | 2011 | M | 反転対称性の破れを導入したシリコンの非線形光学特性に関する研究 |
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| 岩本 和大 | H23 | 2011 | B | 周期空間反転AlGaAs?のカソードルミネッセンスによる評価 |
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| 黒木 誠也 | H23 | 2011 | B | AlGaAs?/SiO2高屈折率差導波路型波長変換デバイスに関する研究 |
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| 谷 洋平 | H23 | 2011 | B | AlGaAs?導波路型擬似位相整合差周波発生デバイスの特性改善 |
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| 花嶋 香織 | H22 | 2010 | M | 半導体導波路型擬似位相整合差周波発生デバイスの研究 |
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| 雨堤 耕史 | H22 | 2010 | B | 周期反転AlGaAs? エピタキシャル薄膜の精密 X 線回折法による評価 |
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| 松下 智紀 | H21 | 2009 | D | GaP 副格子交換エピタキシーの研究と その波長変換素子への応用 |
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| 阿部 真 | H21 | 2009 | M | ワイドギャップ半導体の2次非線形光学定数精密測定 |
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| 太田 順也 | H21 | 2009 | M | AlGaAs? 導波路型波長変換デバイスの高効率化に関する研究 |
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| 伴 謙吾 | H21 | 2009 | B | 半導体導波路型波長変換デバイスの伝搬特性の精密評価 |
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| 石川 裕士 | H20 | 2008 | M | 半導体曲げ導波路を用いた擬似位相整合波長変換デバイス |
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| 太田 生馬 | H20 | 2008 | M | 中赤外コヒーレント光発生のための半導体導波路型波長変換デバイスに関する研究 |
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| 湯川 剛 | H20 | 2008 | B | 化合物半導体混晶Al_xGa_1-xPの屈折率分散 |
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| 成田 渉 | H20 | 2008 | B | AlGaAs?導波路型擬似位相整合波長変換デバイスの高品質化に関する研究 |
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| 西本 裕志 | H20 | 2008 | B | IV族半導体基板上のGaAs?エピタキシャル成長に関する研究 |
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| 三多田 隆洋 | H19 | 2007 | M | 半導体導波路型擬似位相整合波長変換デバイスの伝搬特性評価 |
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| 太田 順也 | H19 | 2007 | B | 擬似位相整合後退波パラメトリック発振に関する研究 |
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| 阿部 真 | H19 | 2007 | B | 六方晶ワイドギャップ半導体の2次非線形光学特性の研究 |
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| 友久 剛司 | H18 | 2006 | M | 副格子交換ガリウムヒ素エピタキシャル成長膜の評価 |
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| 山村 拓嗣 | H18 | 2006 | M | 周期空間反転ヘテロ構造半導体の結晶成長に関する研究 |
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| 石川 裕士 | H18 | 2006 | B | ワイドギャップ半導体の2次非線形光学特性 |
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| 太田 生馬 | H18 | 2006 | B | 半導体導波路型非線形光学デバイスの作製 |
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| 三多田 隆洋 | H17 | 2005 | B | 半導体導波路型波長変換デバイスの伝搬特性評価 |
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| 鍋島 康雄 | H16 | 2004 | M | 窒化ガリウムエピタキシャル薄膜の2次非線形光学特性 |
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| 橘 宏明 | H16 | 2004 | M | 周期空間反転GaAs?擬似位相整合光パラメトリックデバイスの研究 |
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| 宮崎 竹馬 | H16 | 2004 | M (シス量) | 無機・有機層状ペロブスカイト型結晶における誘電性増強効果 |
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| 湯浅 | H16 | 2004 | B(明大) | GaNエピタキシャル薄膜の2次非線形光学定数の測定 |
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| 友久 剛司 | H16 | 2004 | B | 副格子交換半導体のアンチフェーズ境界の評価 |
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| 山村 拓嗣 | H16 | 2004 | B | 化合物半導体波長変換デバイスの特性向上に関する研究 |
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| 濱田 創 | H16 | 2004 | B(明大) | 化合物半導体のイオンミリング |
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| 田中 健一郎 | H15 | 2003 | D | 無機・有機低次元ペロブスカイト型結晶の電子状態と励起子 |
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| 筧 豊 | H15 | 2003 | M | InP基板上副格子交換エピタキシーの研究 |
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| 松下 智紀 | H15 | 2003 | M | 副格子交換エピタキシーによる化合物半導体波長変換デバイス作製プロセスの研究 |
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| 小澤 隆一 | H15 | 2003 | M (シス量) | ヨウ化鉛系1次元ペロブスカイト型結晶の光物性 |
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| 今井 裕之 | H15 | 2003 | B(明大) | 化合物半導体波長変換デバイス作製プロセスに関する研究 |
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| 鈴木 良治 | H15 | 2003 | B | 無機・有機層状ペロブスカイト型結晶の電子状態と励起子 |
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| 荒 賢一郎 | H14 | 2002 | M | 化合物半導体を用いた擬似位相整合型光パラメトリック素子の設計及び作製 |
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| 橘 宏明 | H14 | 2002 | B | AlGaAs?導波路型擬似位相整合波長変換デバイスの設計と作製 |
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| 横山 毅 | H14 | 2002 | B(明大) | 副格子交換エピタキシーによるGaAs?擬似位相整合型光パラメトリック素子の開発 |
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| 高野 剛次 | H14 | 2002 | B | 自己組織型1次元結晶[CH3SC(=NH2)NH2]3PbI5の電子構造と励起子 |
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| 鍋島 康雄 | H14 | 2002 | B(明大) | 自己組織型量子井戸物質における励起子の電場変調分光 |
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| 矢ヶ部 善行 | H13 | 2001 | M | 副格子交換エピタキシーによって作製した化合物半導体波長変換デバイスの研究 |
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| 坂 卓磨 | H13 | 2001 | M | ヨウ化鉛層状ペロブスカイト型結晶における励起子・励起子分子の2光子分光 |
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| 佐野 史朗 | H13 | 2001 | B | ハロゲン化鉛低次元結晶の電場変調分光 |
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| 千葉 智治 | H13 | 2001 | B | AlGaAs?系波長変換素子の作製 |
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| 松下 智紀 | H13 | 2001 | B(明大) | AlGaAs?波長変換素子の高効率化の研究 |
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| 福島 康之 | H13 | 2001 | B(明大) | ハロゲン化鉛低次元結晶の光物性 |
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| 黄 晋二 | H12 | 2000 | D | 化合物半導体副格子交換エピタキシーとその応用 |
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| 本田 智則 | H12 | 2000 | B(明大) | AlGaAs?導波路型波長変換素子の設計と特性解析 |
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| 横島 康彦 | H12 | 2000 | B(明大) | ハロゲン化鉛一次元結晶の光物性 |
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| 石和田 哲也 | H11 | 1999 | B | 副格子交換GaAs?エピタキシャル膜の電子顕微鏡観察 |
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| 坂 卓磨 | H11 | 1999 | B | ヨウ化鉛系ペロブスカイト型結晶の励起子に関する研究 |
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